高結晶性トンネル絶縁層を用いた磁気スピンフローティングゲートMISキャパシタにおける磁性及び電荷注入特性

抄録

我々は、気情報の半導体デバイスへの融合を目指した新規電界効果素子の開発を目指して研究を行っている。その一つとして室温電気磁気効果を示すCr₂O₃薄膜中に磁気的不均一層であるCr₂O_3-xを数nm導入しフローティングゲート(F.G.)層として用いることを提案している。これまで、この素子が磁性を有し、かつF.G.層において電荷を保持することを報告してきた。今回、この素子の保持特性の向上を目指し、初期トンネル絶縁層及びF.G.層材料の検討を行い、その磁気・誘電特性との相関について議論する。