SPS法によるSiC多孔体の作製

抄録

ナノサイズSiCを原料粉末としてSPS法によりSiC多孔体を作製した。焼結条件として圧力、昇温速度、焼結温度、助剤の種類の影響について調査し、XRD、SEM、3点曲げ強度試験の評価を行った。これらの調査により、粒成長を抑制したSiC多孔体を作製する条件は圧力15MPa、昇温速度100℃/min、焼結温度1950℃、助剤AlN-Y₂O₃であることが分かった。さらに気孔形成剤としてポリメタクリル酸メチル(PMMA)を添加することで細孔構造を制御した多孔体もSPS法により作製することが可能であることが確認できた。