日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第20回秋季シンポジウム
セッションID: 3L03
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CeO2/YSZバッファー層を形成したSi基板上へのSrRuO3薄膜のエピタキシャル成長
*高  鉉龍脇谷 尚樹木口 賢紀吉岡 朋彦田中 順三篠崎 和夫
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抄録
Si基板上に酸化物をエピタキシャル成長させるための基本的なバッファー層の一種である蛍石構造CeO2/YSZ薄膜上に、SrTiO3(STO)をはじめとして、ほとんどのペロブスカイト型絶縁性酸化物を成膜すると、(110)配向することが知られている。これに対して、(La0.5Sr0.5)CoO3 (LSCO)を成膜すると(001)配向すること、SrRuO3(SRO)の場合には完全な(001)配向膜を作る事が困難で(110)配向が混在しやすいことなどが経験的に知られている。しかしながら、その原因は必ずしも明らかではない。本研究ではRHEED観察によりCeO2上におけるSROを(001)配向させるための条件を明らかにすることを目的とする。
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©  日本セラミックス協会 2007
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