PLD法による超平坦基板上窒化物系バッファ層を用いた3C-SiCエピタキシャル薄膜の作製

抄録

電子デバイス応用の観点から期待されているSiCは熱伝導度や融点が高いため大電圧、大電流、高温下での半導体としての利用が期待されている。また、SiCはSiと比較して数倍の絶縁破壊電界を持ち、キャリア濃度を低く調整することでSiより数桁高い絶縁性を得ることが出来る。このため、酸化皮膜を用いることなしに高抵抗の高周波デバイス用基板として利用できる可能性がある。今回は、そのための良質な結晶性と高絶縁性を併せ持つSiC薄膜の合成を目指して、PLD法を用い、単結晶サファイア(α-Al₂O₃)基板上に窒化物系バッファ層を用いた場合のSiC薄膜のエピタキシャル成長と結晶性制御の可能性について検討した。