Ba_0.5Sr_0.5TiO₃超薄膜の電気特性評価と電極界面におけるショットキーモデルの構築

抄録

マグネトロンスパッタリング装置を用い、SrTiO₃(100)単結晶基板上に下部電極として基板温度650℃でSrRuO₃を蒸着し、大気中650℃で10minアニールを行った。この試料上にBa_0.5Sr_0.5TiO₃ (BST)を基板温度650℃で50nm～100nm蒸着し、大気中650℃でアニールを行った。上部電極は、イオン蒸着装置で仕事関数の違う4種類の金属Pt、Au、Ni、Alを上部電極として蒸着した。金属の仕事関数の違いとDCバイアスの印加により、ショットキー障壁厚さと障壁高さを自由に変化させ、障壁厚さを決定した。また、BSTの周波数特性とチューナビリティをショットキー障壁容量の式中に変数として導入し、絶縁体におけるショットキー障壁の理論の構築を行った。