TEM-EELS法によるPMN-PT薄膜の光学特性評価

木口 賢紀; 林 聖悟; 脇谷 尚樹; 田中 順三; 篠崎 和夫

doi:10.14853/pcersj.2007S.0.13.0

2007年年会講演予稿集

セッションID: 1A31

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2007S.0.13.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

TEM-EELS法によるPMN-PT薄膜の光学特性評価

*木口賢紀, 林聖悟, 脇谷尚樹, 田中順三, 篠崎和夫

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キーワード: 電子エネルギー損失分光, 透過型電子顕微鏡, 薄膜, ジルコニア, ハフニア, バンドギャップ

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抄録

TEM-EELS法（電子エネルギー損失分光法）において，50eV以下のLow-loss領域は価電子のバンド間遷移や価電子の集団励起（プラズモン励起）に関する情報を反映するため，誘電体のナノ領域の電子・光学物性評価が可能になる．本研究では，次世代光導波路デバイスとして研究を進めてきたPMN-PT薄膜について，局所領域の光学特性評価法としてTEM-EELS法の有効性について検討した．

責任著者(Corresponding author)

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