日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2007年年会講演予稿集
セッションID: 1A32
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化学溶液法により低温で形成したHfO2薄膜の性質
*鈴木 一行西澤 かおり三木 健加藤 一実
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抄録
種々の電子デバイスにおいて、高誘電率を有する絶縁層が求められている。その中で我々はHfO2に注目し、化学溶液法による作製を行ってきた。これまで、高温での熱処理によってHfO2薄膜を作製し、その電気的特性や微構造などについて評価を行ってきた。しかし、素子構成によっては低温でのプロセスが要求される。そこで、低温でHfO2薄膜を作製するための原料溶液の調製と製膜プロセスの検討を行い、作製した薄膜の微構造や電気的特性の評価を行った。
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©  日本セラミックス協会 2007
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