還元型MgZnO薄膜の深い準位に由来する450nm青色発光

抄録

　ZnOはバンドギャップが約3.3eVの直接遷移型半導体である。我々は最近，MgをZnOにドープしたMgZnOのバンドギャップが広がることを利用して，緑色蛍光体である還元型ZnOにMgをドープして青色蛍光体化することに成功した。しかしながらその発光波長は462nmと既存の青色蛍光体には及ばなかった。本講演では膜の液相（ゾルゲル）合成におけるプロセスパラメータを制御することによってMgの固溶量を増大させ，その結果，青色発光波長を450nmまで短波長化できたので，詳細を報告する。