SiC単結晶の酸化剤援用研磨の研究

佐藤 誠; 大森 恒; 高橋 舞子

doi:10.11522/pscjspe.2012A.0.83.0

2012年度精密工学会秋季大会

セッションID: A84

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2012A.0.83.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

SiC単結晶の酸化剤援用研磨の研究

*佐藤誠, 大森恒, 高橋舞子

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キーワード: 炭化珪素, 酸化剤, 研磨, 酸化セリウム

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抄録

現在，省電力化の需要が高まっているため，効率のよいパワーデバイスが求められている．SiC単結晶上にパワーデバイスを構成すると高効率化が可能となる．しかしSiC単結晶基板は鏡面化に時間が掛かるため，加工コストが高い．加工コストを下げるには研磨の高能率化が必要となる．SiC単結晶の研磨に対し，酸化剤を援用しながら研磨を実施したところ，研磨能率が高く，特にC面の研磨能率が高くなった．

責任著者(Corresponding author)

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