日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2007年年会講演予稿集
セッションID: 3B02
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ZnOバリスタのアニール処理による課電劣化の促進
*高田 雅之吉門 進三
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抄録
ZnOバリスタはアニール処理をすることで格子間イオンが既定の位置に戻り耐課電劣化特性が向上すると報告されている。しかし,添加不純物の種類・量によってはアニール処理すると課電劣化が促進される試料が得られることがある。課電劣化の要因と考えられる酸素イオンの移動は粒界に偏析しているBi2O3相を通ると考えられる。このため,本研究ではアニール処理によるBi2O3の結晶構造および結晶性の変化と課電劣化の関係について調べた。アニール処理をすることで耐課電劣化特性が促進された試料はγ-Bi2O3へ相転移していた。一方,γ-Bi2O3の結晶構造が型に変化しなかった試料では耐課電劣化特性は改善された。これより,アニール処理による課電劣化の促進はBi2O3の結晶構造が関係していると考えられる。
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©  日本セラミックス協会 2007
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