PLD法による積層型ZnO薄膜バリスタの作製と評価

抄録

ZnOバリスタは優れた非オーム性と大きなサージ吸収能力を有し，電力用避雷器や電子機器などの保護素子として用いられている。導電機構はZnO結晶粒とBi2O3などの不純物からなる粒界層により形成される2重ショットキ障壁によると考えられている。近年，電子機器のネットワーク化が進み，サージの進入口となっているため電子回路をサージから保護する必要性が増大していることから低電圧化や小型化，実装密度の向上などの対応性に優れた薄膜バリスタが検討されるに至っている。本研究では薄膜作製の方法としてレーザの波長を変えることでアニール処理工程の削減や薄膜作製時の基板温度を低くすることが可能なパルスレーザアブレーション法（Pulsed laser ablation, PLD法）を用い，薄膜バリスタを作製し評価を行った。