抄録
NH3によるGa2O3粉末の窒化における反応速度論的考察を行った。反応による重量変化量は、800、900、1000℃において熱天秤によって調査した。生成した相はXRDによって決定され、微細構造はSEMによって観察された。Ga2O3は700℃で重量減少しはじめ、1140℃から急激に減少した。1200℃まで加熱された試料にはGaNと金属Gaが形成されていた。800℃から1000℃までの等温窒化では、Ga2O3からGaNへの反応率（α）は、0/2<α<0.8の範囲で、時間に対して直線的に増加した
