主催: 公益社団法人日本セラミックス協会
亜鉛添加アモルファス炭素膜をアセチルアセトナト亜鉛からMOCVD法を用いて作製した。アセチルアセトナト亜鉛を加熱気化させアルゴンガスにより真空容器内に導入し、高周波プラズマにより分解し、亜鉛添加アモルファス炭素膜を得た。この反応原料にメタンガスを加え、その流量によって膜内に添加される亜鉛濃度を制御した。作製した膜にはμmサイズ以上の亜鉛の凝集体は観測されず、良好な分散性を示した。XPSにより膜の亜鉛濃度を調査したところ、亜鉛濃度は最大でZn/C元素組成比で0.069を観測し,亜鉛濃度が最も低い膜に比べて膜の抵抗率を2桁低減することに成功した。