抄録
ZnOやGaN等の_III_族窒化物は、ウルツ鉱型結晶構造を有し、c軸方向に陽イオン層と陰イオン層が交互積層している。そのため、c面は陽イオンで終端されたc(+)面と、陰イオンで終端されたc(−)面となり、これを起源とする自発分極が生じる。この分極極性に起因するウルツ鉱型結晶の特性・特長には、表面弾性波デバイスとして利用される圧電特性、結晶成長における欠陥取り込みの異方性、極性面のエッチング速度の差などの化学反応性が挙げられる。そのため、ウルツ鉱型半導体では、結晶の極性を考慮した材料・素子開発が必要となる。本研究は、界面・極性を考慮したウルツ鉱型半導体の高度化を目的として、主に次の2点に着目して検討を行なった。1)高品質単結晶の育成とそれを利用した極性に起因する特徴の理解と応用、2)ウルツ鉱型薄膜の高品質化・高機能化のための極性を考慮した界面構造制御である。本講演では、ZnO基板上への_III_族窒化物半導体の成長を中心に、これらの検討から得られた研究成果について報告する。
