光電子分光によるドーピングした酸化亜鉛の電荷補償とバンド構造の検討

抄録

ZnOは、透明エレクトロニクスを担う半導体として広く注目されている。デバイスの作製に際しては、特に界面近傍の電子状態がその特性を左右することから、ZnO単結晶の表面や、酸化亜鉛からなる接合構造の界面電子状態に関する検討が重要である。本研究は、硬Ｘ線光電子分光を利用した表面分析を実施し、特に、ドーピングを施したｎ型ZnOについて、その欠陥構造・電荷補償機構、及び表面における電子状態を明らかにすることを目的として行った。