サファイヤ基板上のZnO薄膜への高温アニール処理

抄録

ZnOは室温で大きな励起子結合エネルギーを有することから高効率な発光素子や光電子デバイスへの応用が期待されている。高温での結晶成長、あるいは成長後の高温アニール処理は、高品質なZnO薄膜を得るための有効な手法のひとつであるが、ヘテロ接合界面での相互拡散をしばしばもたらし、デバイスの電気・光学的特性に大きな影響を与える。我々はa面およびc面サファイヤ基板上に作製したZnO薄膜への高温アニール処理が、ZnOの特性に及ぼす影響について調査し、アニール後のZnO薄膜の表面形状や基板との相互反応の様子が、基板の配向面の違いにより大きく異なっている様子を観察したので、それらを報告する。