BドーピングSi_0.8Ge_0.2薄膜の熱電特性

抄録

我々は、薄膜試料の高温熱電特性評価を進めながら、Si及びSiGe系の半導体材料と酸化物材料の薄膜を作製し、そのゼーベック係数を評価している。本研究では、スパッタ成膜プロセスの他、LPCVD方法を用いてBドーピング量を変えながら作製したSiGe薄膜について、その熱電特性を調べた。