PLD成長した酸化スズ薄膜の導電性制御に関する検討

抄録

酸化スズ(SnO2)は化学センサー用材料として応用される酸化物半導体である。その導電性や表面反応性を知ることは、高い性能をもったセンサーの開発に不可欠である。しかし、高い蒸気圧と難焼結性という問題からバルク物性の検討に必要な単結晶や高密度焼結体の入手が難しい。そこで本研究ではエピタキシャル成長したSnO2薄膜をパルスレーザー蒸着(PLD)法で製膜し、その製膜条件と薄膜の特性について検討したので報告する。