化学溶液堆積法によるLaNiO₃薄膜の一軸配向結晶成長

抄録

LaNiO₃ (LNO) 薄膜は強誘電体キャパシタの分極疲労を緩和する電極材料として利用されるほか、近年はキャパシタ層の選択的結晶配向成長を促す界面層としても注目されている。本研究では種々の条件下でLNO薄膜を作製し、その選択的な結晶配向成長のメカニズムについて考察する。硝酸ランタン六水和物、酢酸ニッケル四水和物および2-メトキシエタノールを用いて調製したLNO前駆体溶液を(100)Si, (111)Pt/TiO₂/(100)SiおよびSiO₂ガラス基板上にスピンコートし、結晶化の熱処理を施すことで結晶質LNO薄膜を作製した。XRD分析の結果、いずれの基板上においてもLNO(h00)面が基板面方位に配向している事が確認され、LNOの選択的な結晶配向成長は基板表面との格子整合性に依存しない自発的な結晶成長の現象である事がわかった。