レーザーCVD法によるエピタキシャルBaTi₂O₅膜の合成とその誘電特性

抄録

レーザーCVD法を用いて各MgO単結晶基板上にBaTi₂O₅膜膜を合成し、その配向成長と微細構造および誘電特性について調べた。(100), (110) および (111) MgO面上に、それぞれ (020), (112) および (31-3) 配向したBaTi₂O₅膜膜が面内配向してエピタキシャル成長した。いずれのBaTi₂O₅膜膜も柱状に成長しており、成膜速度は20-40 μm h^-1であった。Pt電極を蒸着した各MgO基板上では、(020), (112) および (511) 配向BaTi₂O₅膜膜がエピタキシャル成長した。各BaTi₂O₅膜膜のキュリー温度近傍における比誘電率は、それぞれ1648、568、469であった。