抄録
圧電薄膜は、角速度センサ、インクジェットプリンタヘッドなどに使用されているが、現状その殆どは鉛を含有するPZT薄膜であり、最近の環境規制の強化とともに非鉛圧電薄膜への置き換えが切望されている。このような状況の中、我々はバルクセラミックスで高いキュリー温度と優れた圧電特性を有することが報告されている(K,Na)NbO3に注目し、スパッタリング法での製膜を検討した結果、c軸配向(K,Na)NbO3薄膜でPZT薄膜に匹敵する圧電定数(-d31≧100pm/V)を得ることに成功した。発表では、(K,Na)NbO3薄膜の圧電特性、リーク電流特性、Fatigue特性、圧電の温度特性などを紹介する。
