抄録
チタン酸ジルコン酸バリウムBa(Zr,Ti)O3はペロブスカイト構造を有する代表的な強誘電体化合物である。Zrのドープ量に応じて、相転移温度を変化させることが可能である。そのため、非鉛圧電体やチューナブルキャパシタなどへの応用が期待されている。本研究ではCSD法を用いてBa(Zr,Ti)O3薄膜の作製を試みた。デバイス化の面から安価なSi基板を用い、下部電極兼シード層およびバッファ層としてニッケル酸ランタンLNOを用いた。LNOとBa(Zr,Ti)O3の熱膨張係数差により生じる圧縮応力がBa(Zr,Ti)O3薄膜の電気特性に与える効果について調査した。