抄録
強誘電体材料は、強誘電体以外にも誘電特性や圧電特性を併せ持つため、メモリーやセンサーとしての幅広い応用が期待されている。近年、環境に対する配慮の観点から非鉛材料の開発が盛んに行われているが、鉛材料に匹敵する特性を有する薄膜の報告はほとんどない。そこで、我々は薄膜を構成する結晶子に対して歪みを導入する手法に注目した。非鉛強誘電体材料であるチタン酸バリウムを市販のシリコン基板上に作製し、基板と薄膜間にバッファー層を導入することでチタン酸バリウム薄膜中の応力制御を試み、電気特性に及ぼす効果を検討した。
