シード層を用いたPb(Zr, Ti)O3薄膜の低温結晶化

篠崎 和夫; Moon Ji-Won; 脇谷 尚樹; 木口 賢紀; Cross Jeffrey; 櫻井 修

doi:10.14853/pcersj.2011F.0.402.0

第24回秋季シンポジウム

セッションID: 2E20

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2011F.0.402.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

シード層を用いたPb(Zr, Ti)O₃薄膜の低温結晶化

*篠崎和夫, Moon Ji-Won, 脇谷尚樹, 木口賢紀, Cross Jeffrey, 櫻井修

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キーワード: PZT, シード層, 低温結晶化, MOCVD

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抄録

強誘電体薄膜の低温結晶化はデバイス化プロセスとの整合性をとるためにも重要な研究テーマである。本報告では、(111)Pt/IrO2/SiO2/(001)Si 基板上に数nm のSrTiO3層(以下、STO シード)をPLD 法で成膜した後、MOCVD 法でPb(Zr,Ti)O3 (PZT)を成膜することで低温化できること、および、低温化が特性にどのような影響を与えるかを検討した。

責任著者(Corresponding author)

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