抄録
我々の研究グループは、NiやCoを添加した酸窒化ガリウムGaONのゲル化窒化合成において、幅30-150 nm、長さ5-40 µm程度のナノファイバーが生成する事を報告した。このナノファイバーを種結晶として、NH3気流中、750℃、10時間の条件でGa端成分とともにアニールすることで最長約150µm程度まで長尺化することが判明した。XRD図およびSTEM-EDパターンから、このナノファイバーは一般的にc軸方向に成長するw-GaNとは異なり、ウルツ鉱型のc軸に垂直な方向へ成長することが示唆された。また、種結晶に残るNiを酸処理によって除去することで、成長方向がそろった均一な結晶成長が可能になった。
