抄録
高温利用可能なキャパシタ用材料として、周囲の温度変化に対する誘電特性の依存性が小さい一軸配向性のビスマス層状構造酸化物誘電体 (BLSD) 薄膜の利用が近年注目されている。本研究ではBLSDの一種であるMBi4Ti4O15 (MBTi, M=Ca,Sr) 薄膜を形成する際、堆積基板上に擬ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物ナノシート(Ca2Nb3O10,ns-CN)を界面層として導入することでBLSD薄膜の結晶配向性を制御することを試みた。その結果、界面層の導入によりc軸方位への一軸結晶配向性を有したMBTi薄膜を得ることに成功した。作製された薄膜試料は約200の比誘電率を有する一方、室温から基板温度200℃までの静電容量変化は約7%と低く他材料よりも有意に優れた性能を示した。
