Nb:TiO₂基板上にエピタキシャル成長した強誘電性チタン酸ビスマスネオジウムナノプレートの構造及び電気特性

抄録

高温スパッタ法によりNb:TiO₂基板上にエピタキシャルにa/b軸配向した(Bi_3.25Nd_0.75Ti₃O₁₂　(BNT-0.75)ナノプレートを作製した。純粋なTiO₂基板上に作製したBNT膜はランダム配向を示すが、Nb=0.05-0.79 mass%ドープしたNb:TiO₂基板上のすべての膜は96.2-99.9%の高いa/b軸配向率を示した。特にNb=0.79 mass%ドープしたNb:TiO₂基板上のBNT膜は基板に対してヘテロエピタキシャルな関係を保って成長したナノプレート構造体であることがわかった。圧電応答顕微鏡を用いて測定した変位量-電圧ヒステリシスループの直線勾配より導出される有効圧電定数(d₃₃)は11-13 pm/Vであった。