抄録
Bi層状化合物などの無鉛圧電セラミックスにおいて、その特性を向上させるために結晶軸を揃える配向制御が行われている。配向を付与するために、TGG法やホットホージ、強磁場を用いた成形が用いられ、TGG法ではc軸配向が可能であり、強磁場を用いた場合にはa,b軸配向が可能となる。しかし、これらの手法を用いた場合には、一軸のみの配向制御であった。本研究においては、板状粒子による配向付与と強磁場成形を組み合わせることにより、a, b軸とc軸という異なる軸の配向を同時に制御することを可能としたので、このプロセスの誘電材料への適用について紹介する。
