TGG法により作製した結晶配向性BLSFにおける粒成長挙動

抄録

TGG法により結晶配向したビスマス層状構造強誘電体（BLSF）を作製する場合、板状のテンプレート粒子が等軸のマトリックス粒子中に分散・配向した成形体を焼結する。本研究ではテンプレート粒子の成長挙動が化学種に依存することを見出した。チタン酸ビスマス(BiT)の場合はテンプレート粒子は成長するが、チタン酸バリウム・ビスマス(BBT)の場合は成長しない。これは、(001)面に垂直な面の原子レベルでの平滑度が関係し、BiTの場合はラフで成長速度が大きいが、BBTの場合はスムースで成長速度は小さい。また、厚さ方向への成長は直径方向の成長に支配され、BiTでは厚くなるが、BBTではある一定の値に到達する。