抄録
(La0.764Sr0.137)MnO3-δ(以下、LSMO)の組成をもつLSMOをPLD法によってYSZ(001)基板上に製膜した。製膜条件は製膜温度が730℃、製膜圧力が6.7×10-2Pa、酸素流量は0.5SCCM、製膜時間は3時間であった。得られた膜を4枚に切り出した後、3枚に対して750℃、800℃、850℃で3時間アニール処理を行った。各LSMO膜は強い(110)配向性を有しており膜厚は1.8μmであった。各LSMO膜の金属-絶縁体相転移温度をVSMによる磁化測定から得られた温度-磁化曲線より求めたところ、アニール温度が上昇するにつれて金属-絶縁体相転移温度が上昇する傾向が得られた。この結果が得られた要因としてアニールによる応力状態の変化がMn原子間距離の変化をもたらしたことが挙げられると予想される。
