抄録
本研究では(擬)ペロブスカイト型結晶構造を有した界面層の導入によりSi基板上に高い結晶配向性を有するMBi4Ti4O15薄膜 (BLSD;M = Ca, Sr)を作製した。結晶配向性を制御する界面層としてLaNiO3薄膜およびCa2Nb3O10ナノシートを採用し、これらを担持したPt電極付きSi基板上に化学溶液法を用いて目的の薄膜試料を成膜した。基板上に直接作製した試料ではBLSD結晶がランダムな配向性を有していた。一方、界面層として導入した試料ではBLSD(00l)に対応する回折線が選択的に認められ、良好な結晶性を有するBLSD結晶が基板面方位に対して一軸配向成長したことが確認された。