大気圧ハライドCVD法による柱状窒化インジウムの作製とその成長メカニズム

抄録

　InNは約0.7eVのバンドギャップや高い電子移動度を有することから、赤外領域における発光、受光デバイスや高速、高周波電子デバイス等に有望な材料である。しかし、InNはこれらの応用に向けた結晶成長技術については報告が少なく、高品質な結晶を得ることや結晶の形状を制御することは一般に困難である。 　本研究では、InNの六方晶系を反映した結晶を作製し、そのInN結晶の成長メカニズムを理解するために結晶成長温度および成長時間を変化させた結果を詳細に検討した。また、フォトニック結晶としての応用を目指し、柱状構造InNの成長条件を検討した。