抄録
本研究では粒径1 µm以下のBTセラミックスを作製し、ドメイン構造と粒界が誘電・圧電特性にどのような影響を及ぼしているか明らかにすることを目的とした。従来法と2段階焼結法を利用して様々な温度で焼成を行い粒径0.6 µm～35 µmの高密度なセラミックスを作製した。150℃における誘電特性に着目すると、粒径1 µm 以上では誘電率がほぼ一定であるが1 µm 以下になると著しく誘電率が低下することがわかった。また電界誘起相転移を利用して分極処理を行った試料の圧電特性を測定した結果、キュリー点直上で分極処理を施した試料はどの粒径においても圧電特性が大きくなることがわかった。これらの結果から、ドメイン構造は誘電・圧電特性の増加に寄与するが粒界は特性減少に作用することがわかった。
