粒界相制御による低抵抗SiC焼結体の作製

抄録

炭化ケイ素セラミックスの電気抵抗を低下させることによって、ヒーターなどの応用が期待できる。従来、セラミックスの電気抵抗制御には30体積％以上の導電性第二相が加えられていたが、多量の第二相粒子を分散する方法では、炭化ケイ素の優れた耐熱性を損なうことが予想される。そこで本研究では、炭化ケイ素の粒界相に導電性物質を隻手させて、電気抵抗の低下を検討した。