日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2012年年会講演予稿集
セッションID: 1P029S
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ナノドメインエンジニアリングによるバリウム系圧電セラミックスの開発
*亀井 遥海三井 龍太藤井 一郎熊田 伸弘中島 光一和田 智志
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抄録
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT)セラミックスは優れた圧電材料で, 電子部品に幅広く使用されている. しかし, PZTは鉛を含んでいるため, 環境問題の観点からPZTに代わる高性能な鉛フリー圧電材料の開発が急務となっている. 強誘電体において分極領域(ドメイン)の境の部分であるドメイン壁が高い圧電特性に関わっていることが知られている. このため, ドメイン壁の密度を上昇させることで圧電特性の向上が望める. 本研究では巨視的なドメインを持たないリラクサーとドメインをもつ強誘電体を固溶させることで, 通常のドメインよりサイズの小さい特殊なドメイン(ナノドメイン)を作り出し, 高いドメイン壁密度の向上を試みた. 具体的には非鉛系リラクサ―BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 (BT-BMT)と強誘電体BiFeO3 (BF)を固溶させたBT-BMT-BF固溶体セラミックスの作製し, 圧電特性を調査した.
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©  日本セラミックス協会 2012
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