抄録
ScN薄膜は、MBE法を用いて作製した。基板にはm面サファイア単結晶と、比較としてMgO(110)単結晶を用いた。作製した薄膜の結晶構造、成長用式は、RHEED、XRD、AFMを用いて評価した。薄膜の電気特性は、室温でHall効果測定により評価した。
m面サファイア単結晶を用いても110配向ScNがエピタキシャル成長することが確認された。高温で成長させたScN薄膜は、同じ結晶構造で格子不整合6.8%のMgO(110)単結晶上に作製した薄膜に比べ、高い結晶性を有していることが確認された。Hall効果測定から求めた移動度も、MgO(110)基板に比べ、m面サファイア基板に作製したScN薄膜の方が大きく、その差は成長温度が高いほど顕著にみられた。
