ペロブスカイト型酸化物界面層を用いたBiFeO₃薄膜の一軸配向成長

抄録

BiFeO₃はPb含有強誘電体を代替する有力な材料の候補として、近年その研究開発が急速に進められている。本研究では酸化物単結晶基板よりも汎用性の高いSiウェハ上での材料合成を念頭に置き、LaNiO₃層ならびにCa₂Nb₃O₁₀ナノシートなど、同じくペロブスカイト型結晶構造を有する界面層を成長核として利用したBiFeO₃薄膜材料の結晶性向上と結晶配向性の制御を試みた。BiFeO₃薄膜試料は界面層を形成した (111)Pt/TiO₂/(100)Si基板上に化学溶液法により堆積された。その結果、良好な結晶性を有する(100)BiFeO₃結晶が基板面方位に対して一軸配向成長する事が確認された。