抄録
従来の接合技術では，接合体のサイズ・形状は接合炉のサイズにより制限され，炉のサイズより大きいものは接合できなかった．そこで，炉を使用せずに，大気中で局部加熱によりSiCどうしを接合する技術を開発するため，大気中で施工可能なレーザを熱源として，局部加熱によりセラミックスろう材でSiCどうしをろう付けする方法について検討を開始した．
φ5.5×25mmの高強度反応焼結SiC基材2pを，含有する遊離Siの融点未満で溶融する酸化物セラミックろう材を用いて，ろう付けプロセス条件として，レーザ出力，レーザビームプロファイルを変えて，実験を行った．そして,接合層の微構造及び接合強度（4点曲げ強度）について評価した．
