抄録
接合界面構造形成に及ぼすB4C 添加効果解明の一環として、BやCを添加した非晶質SiとSiCから構成されたモデル接合体を作成し、分子動力学計算により原子レベルの解析を実施した．a-SiおよびSiCの中の共有結合を再現するため、Tersoffポテンシャル関数を用いた．6H-SiC(0001), 6H-SiC(2-1-10)または3C-SiC(001)の結晶から作成したモデルを300～1700Kまで計算した．原子の平均二乗変位を利用して、構造的な特徴と原子拡散挙動との関連を検討した．これらの計算結果と実験により得られる接合界面形成挙動とを比較した結果についても詳細に述べる．
