抄録
n 型半導体であるTiO2は高い電気化学的安定性を有し、湿式太陽電池用光陽極として幅広く利用されているが、エネルギー変換効率のより高い半導体電極の開発が強く望まれている。ZnO、SnO2およびZn2SnO4はTiO2よりも高いキャリア移動度を有するため、ZnO-SnO2系薄膜が高いエネルギー変換をもつ可能性がある。しかし、ZnO-SnO2系薄膜を同一の手法で作製し、その光電気化学的性質を系統的に調べた報告例はない。本研究では、ゾル-ゲル法によってZnO-SnO2薄膜を作製し、光陽極特性の評価を行った。
