日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2012年年会講演予稿集
セッションID: 1J21
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超高圧合成法を用いたRe:CaB2S4(Re:Eu2+,Ce3+)蛍光体の合成と評価
*佐々木 明日香林 大和滝澤 博胤
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抄録
超高圧合成により二種類の構造が見出されているCaB2S4(_I_,_II_)に、母体により発光色が変化するEu2+及びCe3+を発光中心としてドープする事で、新規白色LED用蛍光体を合成した。より低圧で合成されるCaB2S4-_I_はmacrotetrahedronを有しており、一方のCaB2S4-_II_はCaサイトの配位数が9及び12と非常に高い。CaB2S4-_I_:Eu2+は500nm付近にピークをもつ緑色発光を示したが、より高圧側で合成出来るCaB2S4-_II_:Eu2+は400nm付近と500nm付近の二箇所にピークが確認された。また、CaB2S4-_I_:Ce3+は450nm付近と500nm付近にピークを持ち、青白発光を示した。
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©  日本セラミックス協会 2012
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