抄録
近年,半導体・電子部品などの電子情報産業市場は成長傾向にあり,多種多量な電子機器が製造されている。これらの製品では,加工・精密実装技術の高度化に起因して故障箇所の検出が難化しており,今後はより簡便で正確,高速な故障箇所の検出方法が求められる。
一般的な非破壊検査法であるX線CT検査は,小型機器の検査に不向きであり,運用コストが高いという欠点がある。そこで,我々はロックインサーモグラフィ(LIT)とディジタルホログラフィ(DH)を併用することで電子部品の温度変化とnmオーダーの変形の時系列情報から欠陥位置を推定する手法を提案した。
しかし,先行研究においては,故障箇所推定のために試料に印加する電圧が操作電圧を超えており,測定中に試料の破壊が進む可能性があった。そこで,試料の非破壊検査を実現するために操作電圧以下の印加電圧に設定して実験を行った。