加工表面の分析評価に基づいたSiC半導体の加工メカニズムの研究

渡邉 純二; 藤本 誠; 黒田 規敬; 江龍 修

doi:10.11522/pscjspe.2002A.0.163.0

2002年度精密工学会秋季大会

セッションID: D23

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2002A.0.163.0

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主催: 社団法人精密工学会

超精密表面加工技術（2）

加工表面の分析評価に基づいたSiC半導体の加工メカニズムの研究

渡邉純二, *藤本誠, 黒田規敬, 江龍修

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キーワード: 炭化ケイ素, メカノケミカルポリシング, 酸化クロム, 酸化チタン光触媒, フーリエ変換赤外分光法, X線光電子分光法

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抄録

SiCのSi終端面の研磨能率,結晶構造の安定性,加工面の平滑性の向上を目的として超精密ポリシング技術の研究を行っている.これまでに酸化クロム砥石,砥粒を中心としたポリシングを行い,その表面のFT-IR,XPSによる分析·評価から研磨のメカニズムを推定した.また新たに酸化チタン光触媒による研磨法の検討も行った.

責任著者(Corresponding author)

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