抄録
前報告では表面活性化常温接合法を用いてSiウエハに作成したキャビティー内部の真空度を測定するために、マイクロカンチレバーをキャビティー内部に導入しその振動特性（Q値）を測定することにより内部真空度を調べた。しかし、試料を作成する際に外部からマイクロカンチレバーをキャビティー内に導入しインジウムで固定する複雑な方法をとっており、接合材料や接合条件などのパラメーターを変えて数多く実験をおこなうことが困難であった。また、使用したカンチレバーは高真空中でのQ値の変化が少なく正確な内部真空度を測定することが困難であった。本報告ではこのような問題点を改善するためにおこなったSiマイクロ構造の設計と製作について報告する。
