抄録
高周波回路において，精密なインピーダンスマッチングを行うための可変インダクタが必要とされている．我々は，MEMSを用いた新しいタイプの高周波回路用可変インダクタを製作，評価した．このインダクタは，二重円錐バネ形状を有し，その高さは0μmから200μmで，製作時において任意に決定可能である．インダクタンスは，高さによって変化する．バネ部には，三次元微細成形が可能な薄膜金属ガラスを使用することによって，このインダクタの二重円錐バネ形状を得ることが出来た．製作したインダクタの測定を行い，シミュレーションと比較し，定性的に一致する結果が得られた．
