抄録
我々は、低接触力MEMSプローブカードを実現するため、電気的絶縁破壊の一種であるフリッティングを用いたコンタクト法に着目し、これまでにもその有効性を明らかにしてきた。さらに、膜の内部応力を形成途中で変化させる2段階めっきプロセスによって、フリッティングを用いたMEMSプローブカードのためのNiめっきマイクロカンチレバーの開発を行い、電極·プローブ間の距離のばらつきを吸収できる柔軟な構造が可能であることを示してきた。本研究では、作製したマイクロカンチレバーの特性を測定した。カンチレバーの機械的特性およびフリッティングにおいて低い接触抵抗を得るために必要な印加電圧、電流、荷重の条件についての測定結果を報告する。
