MEMSプローブカードのためのフリッティングコンタクト（第6報）

銅電極のフリッティング特性

抄録

次代の半導体試験を担うMEMSプローブカードに不可欠な低接触力でのコンタクト法として、絶縁破壊の一種であるフリッティング現象の利用が提案されている。我々はこれまで，主にAl電極のフリッティングの測定を行ってきた。近年，半導体デバイス内の配線材料は高速信号に対応するためAlからCuへと変化しており，デバイス表面の電極もCu化が進んでいる。このため，Cu電極のプロービングの重要性が増している。CuとAlでは，表面の酸化の様態が大きく異なり，フリッティング特性にも違いがある。本報では，Cu電極のフリッティング特性について，低抵抗のコンタクトを得るための条件，表面酸化状態への依存性について述べる。