抄録
SiNx膜は一般には低圧プラズマCVD法により成膜が行われるが、回転電極型大気圧プラズマCVD法による成膜を試みた。すでに、SiH4とN2を原料ガスとした場合、その解離エネルギーの差に起因して膜厚方向に傾斜組成のSiNx膜が得られることを報告した。さらにN2に替えて分解が容易なNH3を用いて成膜パラメーターを最適化することにより膜厚方向の傾斜組成を解消できることを示した。今回は、原料ガス混合比（NH3/SiH4比）が膜質に及ぼす影響をSi-N結合、Si-H結合、N-H結合の各結合密度など膜構造の観点から検討し、Si-N結合密度が最大となるNH3/SiH4比が4～6程度を最適混合比と結論付けた。
