抄録
金属ターゲットをAr+N2混合ガスで反応性スパッタして窒化物薄膜を成長させるプロセスでは，いわゆるヒステリシスの問題から窒素ガス流量一定では安定に制御できない窒素分圧領域が生じる．本研究では，Ti，Al，Nb，Crの4種類のターゲット金属を用いた場合のヒステリシス挙動の差異を評価するとともに，プラズマ発光強度のモニタにより窒素分圧を安定化するPEM装置を用いて各窒化物薄膜の最適作製条件について検討した．その結果，金属原子と窒素との反応性の差異によってヒステリシス挙動が変化し，最適作製条件もそれに依存することがわかった．
