抄録
Si(100)基板上にある条件下でMBEによってSiを成長させると，ナノメートルオーダの3次元の島が創成される．本研究では，この条件下で，線幅数μmの直線あるいは曲線のメサパターンを形成した基板に対しSiを成長させると，そのメサの縁に沿って島が整列すること，さらにこの島の発生はメサの高さと関係があることを示した．さらにメサの中央部においても島を整列させることができ，メサの線幅や曲率を変えることで1条もしくは2条に整列させることができることを明らかにした．この整列現象を応用することにより，ナノメートルオーダのテクスチャ創成技術の1つとなると期待できる．
